升华法生长大直径的SiC单晶

采用高纯Si粉和C粉在适宜的温度和压力下合成了多晶SiC粉末,在此基础上采用升华法在低压高温下条件下生长了大直径6H-SiC单晶,并根据热力学理论分析了SiC的分解.结果表明,在2 300℃附近的生长温度下,Si,Si2C,SiC2是Si-C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因而是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长.另外,采用光学显微镜观察SiC单晶中的生长缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹体是微管缺陷的重要来源,而调制掺氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基础上调整生长参数,生长出了高质量的6H-SiC单晶.

作 者： 李娟 胡小波 王丽 李现祥 韩荣江 董捷 姜守振 徐现刚 王继扬 蒋民华   作者单位： 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100  刊 名： 中国有色金属学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS  年，卷(期)： 2004 14(z1)  分类号：   关键词： 升华法   SiC   微管  

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