高压下ZnO晶粒的快速生长及其拉曼光谱研究

利用陶瓷烧结基本理论以及高压烧结的特点对高压下ZnO晶粒快速生长的现象进行了分析,并结合拉曼光谱对高压下得到的ZnO晶体进行了研究.结果表明:ZnO在高压下烧结时,其晶粒生长速率大大提高,在900 ℃时约为常压下晶粒生长速率的960倍;高压下ZnO晶粒快速生长的原因可能是由于高压下ZnO中间隙锌离子浓度大大增加所致;通过Raman光谱分析表明高压下生长得到ZnO晶体质量随着温度的升高而有所提高.

作 者： 张海宁 朱茂电 陆中 ZHANG Hai-ning ZHU Mao-dian LU Zhong   作者单位： 张海宁,朱茂电,ZHANG Hai-ning,ZHU Mao-dian(常州轻工职业技术学院,江苏,常州,213164)

陆中,LU Zhong(江苏工业学院,江苏,常州,213164) 

刊 名： 化学工业与工程  ISTIC 英文刊名： CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING  年，卷(期)： 2009 26(6)  分类号： O741+.5  关键词： ZnO单晶   高压烧结   拉曼光谱  

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